军事

邮箱:admin@yaboyule354.icu
电话:065-280852502
传真:
手机:19130417389
地址:天津市天津市天津区程务大楼764号
当前位置:主页 > 军事 >

军事

7nm路线图公布:台积电与GF即将翻身|S10在哪买外围

作者:S10在哪买外围 时间:2020-12-23 00:18
本文摘要:通过路线图,可以说台积电和GF很快就会沦落,老牌企业Intel可能会在10纳米工艺上暂时闲置。在规格上,GF的第一代/第二代7纳米与14nmFinFET相比,性能提高了40%,功耗降低了60%,芯片成本降低了30%。

纳米

技术网站Anandtech公布了半导体巨头最近的工程路线图,主要是新一代10纳米和7纳米工程。通过路线图,可以说台积电和GF很快就会沦落,老牌企业Intel可能会在10纳米工艺上暂时闲置。(威廉莎士比亚,Northern Exposure(美国Intel电视剧),成功)从官方公布的路线图来看,台积电是最慢的7nm工艺制造企业,2018年第一季度可以处理7nmff工艺,GF在2018年第二季度重组为7nm工艺。

工艺

在未来

三星将在2019年不改编为7nm工艺,英特尔在未来几年内不会大幅改善自己的10nm工艺,即使出来也将在2021年以后。但是GF用7nm区分第三代,第一代是浅紫外线刻印(DUV),引入极紫外线刻印(EUV)要到2019年。在规格上,GF的第一代/第二代7纳米与14nmFinFET相比,性能提高了40%,功耗降低了60%,芯片成本降低了30%。

如果每个流程路线图都没有差异,那么在未来英特尔用于7纳米之前,不会成为用于7纳米改进的AMDZen2/3处理器。


本文关键词:S10在哪买外围,就会,刻印,在未来,纳米,三星

本文来源:S10在哪买外围-www.yaboyule354.icu